- Артикул: 00208394
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRG4BC30UDPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 12А, 8~60 кГц, 1.4В, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4BC30UDPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001547712
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
12 А
f раб.
(рабочая частота)
8~60 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.4 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
385.45 КБ
pdf
385.45 КБ
IGBT транзистор IRG4BC30UDPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4BC30UDPBF: V ce: 600 В; I c: 12 А; f раб.: 8~60 кГц; V CE(on): 1.4 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4BC30UDPBF: V ce: 600 В; I c: 12 А; f раб.: 8~60 кГц; V CE(on): 1.4 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.