- Артикул: 00434225
- Количество в упаковке: 6
- Стандартная упаковка: Россыпь
IRG4BC30UPBF Infineon
Краткое описание
Код товара у производителя: IRG4BC30UPBF
Производитель: Infineon
Спецификация
IGBT транзистор IRG4BC30UPBF INF
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4BC30UPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор IRG4BC30UPBF
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
12 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.95 В
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
6
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet IRG4BC30UPBF Infineon
Английский язык
pdf
310.74 КБ
IGBT транзистор IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4BC30UPBF: V ce: 600 В; I c: 12 А; V CE(sat): 1.95 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4BC30UPBF: V ce: 600 В; I c: 12 А; V CE(sat): 1.95 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.