- Артикул: 00382241
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IRG4BH20K-SPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 5А, 8~30кГц, 3.17В, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4BH20K-SPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001536124
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
5 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
3.17 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
168.6 КБ
pdf
251.94 КБ
IGBT транзистор IRG4BH20K-SPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4BH20K-SPBF: V ce: 1200 В; I c: 5 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 3.17 В; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4BH20K-SPBF: V ce: 1200 В; I c: 5 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 3.17 В; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.