- Артикул: 00382229
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IRG4PF50WPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 900В, 28А, 8~30кГц, 2.7В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4PF50WPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001533582
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
900 В
I c
(постоянный ток коллектора)
28 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.7 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
644.97 КБ
IGBT транзистор IRG4PF50WPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4PF50WPBF: V ce: 900 В; I c: 28 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.7 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4PF50WPBF: V ce: 900 В; I c: 28 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.7 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.