- Артикул: 00370729
- Количество в упаковке: 400
- Стандартная упаковка: Пенал
IRG4PH50SPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 33А, 1~1кГц, 1.7В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4PH50SPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001533562
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
33 А
f раб.
(рабочая частота)
1~1кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.7 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
400
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
225.88 КБ
pdf
225.88 КБ
IGBT транзистор IRG4PH50SPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4PH50SPBF: V ce: 1200 В; I c: 33 А; f раб.: 1~1кГц; V CE(on): 1.7 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4PH50SPBF: V ce: 1200 В; I c: 33 А; f раб.: 1~1кГц; V CE(on): 1.7 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.