- Артикул: 00382270
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IRG4PSH71UDPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 50А, 8~30кГц, 2.92В, Super 247
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4PSH71UDPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001547822
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.92 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
Super 247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
IGBT транзистор IRG4PSH71UDPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4PSH71UDPBF: V ce: 1200 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.92 В; Корпус: Super 247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4PSH71UDPBF: V ce: 1200 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.92 В; Корпус: Super 247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.