- Артикул: 00359580
- Количество в упаковке: 4
- Стандартная упаковка: Пенал
IRG4RC10KDTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 5А, 8~25 кГц, 1.5В, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4RC10KDTRPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001535994
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
5 А
f раб.
(рабочая частота)
8~25 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.5 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
4
IGBT транзистор IRG4RC10KDTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4RC10KDTRPBF: V ce: 600 В; I c: 5 А; f раб.: 8~25 кГц; V CE(on): 1.5 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4RC10KDTRPBF: V ce: 600 В; I c: 5 А; f раб.: 8~25 кГц; V CE(on): 1.5 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.