- Артикул: 00276179
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRG7PH50UPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 90А, 8~40кГц, 2В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG7PH50UPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001541698
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
90 А
f раб.
(рабочая частота)
8~40кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
360.88 КБ
IGBT транзистор IRG7PH50UPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG7PH50UPBF: V ce: 1200 В; I c: 90 А; f раб.: 8~40кГц; V CE(on): 2 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG7PH50UPBF: V ce: 1200 В; I c: 90 А; f раб.: 8~40кГц; V CE(on): 2 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.