- Артикул: 00298314
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGB8B60KPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 19А, 8~30кГц, 2.2В, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGB8B60KPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001532694
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
19 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.2 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
525.46 КБ
IGBT транзистор IRGB8B60KPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGB8B60KPBF: V ce: 600 В; I c: 19 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.2 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGB8B60KPBF: V ce: 600 В; I c: 19 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.2 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.