- Артикул: 00232471
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGP35B60PDPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 22А, 8~30кГц, 1.3В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGP35B60PDPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001546216
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
22 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.3 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
IGBT транзистор IRGP35B60PDPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGP35B60PDPBF: V ce: 600 В; I c: 22 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGP35B60PDPBF: V ce: 600 В; I c: 22 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.