- Артикул: 00313243
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGP4790DPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 650В, 90А, 8~30кГц, 2.1В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGP4790DPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001542350
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
90 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.1 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
882.09 КБ
pdf
882.09 КБ
IGBT транзистор IRGP4790DPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGP4790DPBF: V ce: 650 В; I c: 90 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGP4790DPBF: V ce: 650 В; I c: 90 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.