- Артикул: 00240244
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGP50B60PD1-EP Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 43А, 60~150 кГц, 1.7В, TO-247AD
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGP50B60PD1-EP
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001532834
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
43 А
f раб.
(рабочая частота)
60~150 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.7 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AD
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
IGBT транзистор IRGP50B60PD1-EP, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGP50B60PD1-EP: V ce: 600 В; I c: 43 А; f раб.: 60~150 кГц; V CE(on): 1.7 В; Корпус: TO-247AD.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGP50B60PD1-EP: V ce: 600 В; I c: 43 А; f раб.: 60~150 кГц; V CE(on): 1.7 В; Корпус: TO-247AD.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.