- Артикул: 00200766
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGPS60B120KDP Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 60А, 8~30кГц, 2.1В, Super 247
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGPS60B120KDP
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001540752
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
60 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.1 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
Super 247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
137.9 КБ
pdf
137.9 КБ
IGBT транзистор IRGPS60B120KDP, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGPS60B120KDP: V ce: 1200 В; I c: 60 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: Super 247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGPS60B120KDP: V ce: 1200 В; I c: 60 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: Super 247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.