- Артикул: 00311127
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGPS66160DPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 160А, 8~30кГц, 1.3В, Super 247
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGPS66160DPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001548322
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
160 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.3 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
Super 247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
648.29 КБ
pdf
648.29 КБ
IGBT транзистор IRGPS66160DPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGPS66160DPBF: V ce: 600 В; I c: 160 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: Super 247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGPS66160DPBF: V ce: 600 В; I c: 160 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: Super 247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.