- Артикул: 00451802
- Количество в упаковке: 10
- Стандартная упаковка: Россыпь
IXGN400N30A3 IXYS
Краткое описание
Код товара у производителя: IXGN400N30A3
Производитель: IXYS
Спецификация
IGBT транзистор IXGN400N30A3 IXYS
Код товара производителя
IXGN400N30A3
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
300 В
I c
(постоянный ток коллектора)
400 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.15 В
Размеры
Корпус
SOT-227B miniBLOC (IXGN)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet IXGN400N30A3 IXYS
Английский язык
pdf
168.59 КБ
IGBT транзистор IXGN400N30A3, производителя IXYS
Ключевые параметры компонента IXGN400N30A3: V ce: 300 В; I c: 400 А; V CE(sat): 1.15 В; Корпус: SOT-227B miniBLOC (IXGN).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя IXYS в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IXGN400N30A3: V ce: 300 В; I c: 400 А; V CE(sat): 1.15 В; Корпус: SOT-227B miniBLOC (IXGN).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя IXYS в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.