- Артикул: 00437368
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
NCE100TD120VTP NCEPOWER
Краткое описание
Код товара у производителя: NCE100TD120VTP
Производитель: NCEPOWER
Спецификация
Производитель
NCEPOWER
Код товара производителя
NCE100TD120VTP
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
100 А
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
6,0 В
Размеры
Корпус
TO-247P
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet NCE100TD120VTP NCEPower
Английский язык
pdf
1.93 МБ
IGBT транзистор NCE100TD120VTP, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE100TD120VTP: V ce: 1200 В; I c: 100 А; V CE(on): 6,0 В; Корпус: TO-247P.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента NCE100TD120VTP: V ce: 1200 В; I c: 100 А; V CE(on): 6,0 В; Корпус: TO-247P.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.