- Артикул: 00435711
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
NCE50TD120WT NCEPOWER
Краткое описание
Код товара у производителя: NCE50TD120WT
Производитель: NCEPOWER
Спецификация
Производитель
NCEPOWER
Код товара производителя
NCE50TD120WT
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
6,0 В
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet NCE50TD120VT_C7429722 NCEPower
Английский язык
pdf
472.74 КБ
IGBT транзистор NCE50TD120WT, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE50TD120WT: V ce: 1200 В; I c: 50 А; V CE(on): 6,0 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента NCE50TD120WT: V ce: 1200 В; I c: 50 А; V CE(on): 6,0 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.