- Артикул: 00321523
- Количество в упаковке: 1
SGB02N120ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 2.8А, 10~40кГц, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SGB02N120ATMA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000012558
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
2.8 А
f раб.
(рабочая частота)
10~40кГц
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Упаковка
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
435.81 КБ
IGBT транзистор SGB02N120ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SGB02N120ATMA1: V ce: 1200 В; I c: 2.8 А; f раб.: 10~40кГц; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SGB02N120ATMA1: V ce: 1200 В; I c: 2.8 А; f раб.: 10~40кГц; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.