- Артикул: 00382640
- Количество в упаковке: 2500
- Стандартная упаковка: Катушка
SGD02N60BUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 2.9А, 10~40кГц, 2.4В, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SGD02N60BUMA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000011993
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
2.9 А
f раб.
(рабочая частота)
10~40кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.4 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2500
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
353.05 КБ
IGBT транзистор SGD02N60BUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SGD02N60BUMA1: V ce: 600 В; I c: 2.9 А; f раб.: 10~40кГц; V CE(on): 2.4 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SGD02N60BUMA1: V ce: 600 В; I c: 2.9 А; f раб.: 10~40кГц; V CE(on): 2.4 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.