Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
G2N65R035TB-H Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Артикул
Производитель
Спецификация:
Нитрид-галиевый (GaN) транзистор G2N65R035TB-H, производителя Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Ключевые параметры компонента G2N65R035TB-H: Vds: 650 В; I к.макс.: 31.5 А.
Цена по запросу
В наличии
40 шт
Производитель
Серия
Спецификация:
Нитрид-галиевый (GaN) транзистор G2N65R035TB-H, производителя Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Ключевые параметры компонента G2N65R035TB-H: Vds: 650 В; I к.макс.: 31.5 А.
Основные характеристики
I к.макс.
Заряд затвора
Vds
RDS(On)
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Тип монтажа
DIP
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd. в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.