- Артикул: 00478548
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
G2N65R035TB-H Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Краткое описание
Код товара у производителя: G2N65R035TB-H
Производитель: Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Спецификация
Нитрид-галиевый (GaN) транзистор G2N65R035TB-H GaNext
Код товара производителя
G2N65R035TB-H
Наименование класса номенклатуры
Нитрид-галиевый (GaN) транзистор
Основные характеристики
Vds
650 В
I к.макс.
(максимальный ток коллектора)
31.5 А
Тип монтажа
DIP
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
RDS(On)
(сопротивление)
35 мОм
Заряд затвора
38 нКл
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet G2N65R035TB-H GaNext
Английский язык
pdf
350.24 КБ
Нитрид-галиевый (GaN) транзистор G2N65R035TB-H, производителя Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Ключевые параметры компонента G2N65R035TB-H: Vds: 650 В; I к.макс.: 31.5 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd. в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента G2N65R035TB-H: Vds: 650 В; I к.макс.: 31.5 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd. в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.