- Артикул: 00444809
- Количество в упаковке: 40
- Стандартная упаковка: Россыпь
INN650D260A innoscience
Краткое описание
Код товара у производителя: INN650D260A
Производитель: innoscience
Спецификация
Нитрид-галлиевый транзистор (GaN) INN650D260A INNSC
Код товара производителя
INN650D260A
Наименование класса номенклатуры
Нитрид-галлиевый транзистор (GaN) INN650D260A
Основные характеристики
Vds
650 В
I к.макс.
(максимальный ток коллектора)
12 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
RDS(On)
(сопротивление)
260 мОм
Заряд затвора
2 нКл
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
40
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet INN650D260A innoscience
Английский язык
pdf
925.64 КБ
Нитрид-галлиевый транзистор (GaN) INN650D260A INN650D260A, производителя innoscience
Ключевые параметры компонента INN650D260A: Vds: 650 В; I к.макс.: 12 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя innoscience в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента INN650D260A: Vds: 650 В; I к.макс.: 12 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя innoscience в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.