- Артикул: 00420868
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSM100GB120DN2KHOSA1
Серия
IGBT2
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000101733
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
145 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
Конфигурация
Half Bridge
Тип монтажа
Chassis Mount
Диапазон рабочих температур
150°C
Мощность, Вт
700 Вт
Размеры
Корпус
Module
Типоразмер
Module
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
IGBT модуль BSM100GB120DN2KHOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSM100GB120DN2KHOSA1: IGBT2 Серия: IGBT2; Ic (nom): 145 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Half Bridge; Корпус: Module.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSM100GB120DN2KHOSA1: IGBT2 Серия: IGBT2; Ic (nom): 145 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Half Bridge; Корпус: Module.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.