Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: DF200R12W1H3B27BOMA1 Производитель: Infineon OPN: SP001056182
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon
  • Артикул: 00370413
  • Количество в упаковке: 2
  • Стандартная упаковка: Паллета

Спецификация

High Speed IGBT H3
Low Switching Losses
Fast Silicon diode 1200V
Al(2)O(3) Substrate with Low Thermal Resistance
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT Contact Technology

IGBT модуль 200А, 1200В, Booster with NTC, EasyPACK
Производитель Infineon
Код товара производителя DF200R12W1H3B27BOMA1
Серия IGBT3
Наименование класса номенклатуры IGBT модуль
OPN SP001056182
Основные характеристики
Ic (nom) (номинальный ток коллектора) 200 А
Vce (max) (максимальное напряжение коллектор-эмиттер) 1200 В
Конфигурация Booster with NTC
Размеры
Корпус EasyPACK
Упаковка
Тип упаковки (новый) (стандартная) Паллета
Количество в упаковке 2

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Под заказ
2 Штуки в Паллете

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT модуль DF200R12W1H3B27BOMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента DF200R12W1H3B27BOMA1: IGBT3 Серия: IGBT3; Ic (nom): 200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Booster with NTC; Корпус: EasyPACK.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.