- Артикул: 00382397
- Количество в упаковке: 6
- Стандартная упаковка: Паллета
F4100R17ME4B11BPSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
H-Bridge topology
High power density
Low VCEsat
Tvjop = 150°C
Trench IGBT 4
VCEsat with positive temperature coefficient
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 100А, 1700В, H-Bridge, EconoDUAL
High power density
Low VCEsat
Tvjop = 150°C
Trench IGBT 4
VCEsat with positive temperature coefficient
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 100А, 1700В, H-Bridge, EconoDUAL
Производитель
Infineon
Код товара производителя
F4100R17ME4B11BPSA1
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP001347662
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
100 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
Конфигурация
H-Bridge
Размеры
Корпус
EconoDUAL
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
6
IGBT модуль F4100R17ME4B11BPSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента F4100R17ME4B11BPSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 100 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: H-Bridge; Корпус: EconoDUAL.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента F4100R17ME4B11BPSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 100 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: H-Bridge; Корпус: EconoDUAL.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.