- Артикул: 00214803
- Количество в упаковке: 2
- Стандартная упаковка: Коробка
FD800R17KE3B2NOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Enlarged Diode for regenerative operation
High reliability and robust module construction
IGBT модуль 800А, 1700В, Chopper, IHM
High reliability and robust module construction
IGBT модуль 800А, 1700В, Chopper, IHM
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FD800R17KE3B2NOSA1
Серия
IGBT3
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000100629
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
800 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
Конфигурация
Chopper
Размеры
Корпус
IHM
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
2
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
502.83 КБ
IGBT модуль FD800R17KE3B2NOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FD800R17KE3B2NOSA1: IGBT3 Серия: IGBT3; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Chopper; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FD800R17KE3B2NOSA1: IGBT3 Серия: IGBT3; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Chopper; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.