- Артикул: 00223262
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Коробка
FD800R33KF2CKNOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
IGBT модуль 800А, 3300В, Chopper, IHV
IGBT модуль 800А, 3300В, Chopper, IHV
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FD800R33KF2CKNOSA1
Серия
IGBT2
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000100607
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
800 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
3300 В
Конфигурация
Chopper
Размеры
Корпус
IHV
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
935.54 КБ
IGBT модуль FD800R33KF2CKNOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FD800R33KF2CKNOSA1: IGBT2 Серия: IGBT2; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 3300 В; Конфигурация: Chopper; Корпус: IHV.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FD800R33KF2CKNOSA1: IGBT2 Серия: IGBT2; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 3300 В; Конфигурация: Chopper; Корпус: IHV.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.