- Артикул: 00203710
- Количество в упаковке: 2
FF1200R12KE3NOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low V (cesat) Trench IGBT 3
Package with CTI 400
Copper Base Plate UL recognised
IGBT модуль 1200А, 1200В, Dual, IHM
Package with CTI 400
Copper Base Plate UL recognised
IGBT модуль 1200А, 1200В, Dual, IHM
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF1200R12KE3NOSA1
Серия
IGBT3
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000100572
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
1200 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
IHM
Упаковка
Количество в упаковке
2
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
578.57 КБ
IGBT модуль FF1200R12KE3NOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF1200R12KE3NOSA1: IGBT3 Серия: IGBT3; Ic (nom): 1200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF1200R12KE3NOSA1: IGBT3 Серия: IGBT3; Ic (nom): 1200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.