- Артикул: 00301800
- Количество в упаковке: 10
- Стандартная упаковка: Коробка
FF600R12ME4CBOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low V(CEsat)
T(vj op) = 150°C
V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
High Power Density
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль FF600R12ME4C SP001064430 INF
IGBT модуль 600А, 1200В, Dual, EconoDUAL
T(vj op) = 150°C
V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
High Power Density
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль FF600R12ME4C SP001064430 INF
IGBT модуль 600А, 1200В, Dual, EconoDUAL
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF600R12ME4CBOSA1
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP001064430
Основные характеристики
Серия
IGBT4
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
600 А
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
ED
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
603.16 КБ
IGBT модуль FF600R12ME4CBOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF600R12ME4CBOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 600 А; Конфигурация: Dual; Корпус: ED.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF600R12ME4CBOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 600 А; Конфигурация: Dual; Корпус: ED.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.