- Артикул: 00249073
- Количество в упаковке: 2
- Стандартная упаковка: Коробка
FF75R12RT4HOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Extended Operation Temperature T vj op
Low Switching Losses
Low V CEsat
T vj op = 150°C
V CEsat with positive Temperature Coefficient
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 75А, 1200В, Dual, 34mm
Low Switching Losses
Low V CEsat
T vj op = 150°C
V CEsat with positive Temperature Coefficient
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 75А, 1200В, Dual, 34mm
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF75R12RT4HOSA1
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000624916
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
75 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
34mm
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
2
IGBT модуль FF75R12RT4HOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF75R12RT4HOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 75 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: 34mm.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF75R12RT4HOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 75 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: 34mm.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.