Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: FF800R17KP4B2NOSA2 Производитель: Infineon OPN: SP000941492
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon
  • Артикул: 00352745
  • Количество в упаковке: 2

Спецификация

Low V(cesat)
Enlarged Diode for regenerative operation
4 kV AC 1min Insulation
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
UL recognised
High Power and Thermal Cycling Capability

IGBT модуль 800А, 1700В, Dual, IHM
Производитель Infineon
Код товара производителя FF800R17KP4B2NOSA2
Серия IGBT4
Наименование класса номенклатуры IGBT модуль
OPN SP000941492
Основные характеристики
Ic (nom) (номинальный ток коллектора) 800 А
Vce (max) (максимальное напряжение коллектор-эмиттер) 1700 В
Конфигурация Dual
Размеры
Корпус IHM
Упаковка
Количество в упаковке 2

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
Поштучная продажа

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT модуль FF800R17KP4B2NOSA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF800R17KP4B2NOSA2: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Dual; Корпус: IHM.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.