- Артикул: 00352745
- Количество в упаковке: 2
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low V(cesat)
Enlarged Diode for regenerative operation
4 kV AC 1min Insulation
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
UL recognised
High Power and Thermal Cycling Capability
IGBT модуль 800А, 1700В, Dual, IHM
Enlarged Diode for regenerative operation
4 kV AC 1min Insulation
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
UL recognised
High Power and Thermal Cycling Capability
IGBT модуль 800А, 1700В, Dual, IHM
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF800R17KP4B2NOSA2
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000941492
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
800 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
IHM
Упаковка
Количество в упаковке
2
IGBT модуль FF800R17KP4B2NOSA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF800R17KP4B2NOSA2: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Dual; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF800R17KP4B2NOSA2: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 800 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Dual; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.