- Артикул: 00381375
- Количество в упаковке: 2
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Extended Operation Temperature T(vj op)
Low Switching Losses
Package with CTI > 400
UL recognised
IGBT модуль 1200А, 1200В, Single switch, IHM
Low Switching Losses
Package with CTI > 400
UL recognised
IGBT модуль 1200А, 1200В, Single switch, IHM
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FZ1200R12HE4HOSA2
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP001172140
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
1200 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
Конфигурация
Single switch
Размеры
Корпус
IHM
Упаковка
Количество в упаковке
2
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
603.02 КБ
IGBT модуль FZ1200R12HE4HOSA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FZ1200R12HE4HOSA2: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 1200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Single switch; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FZ1200R12HE4HOSA2: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 1200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Single switch; Корпус: IHM.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.