- Артикул: 00417219
IM828XCCXKMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Основные характеристики
Vrrm
(напряжение пробоя)
1200 В
Iс/Io
(ток коллектора/выходной ток)
35 А
Конфигурация
3 Phase Open Emitter
Тип транзистора
MOSFET
Размеры
Корпус
DIP 36x23D
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
1.21 МБ
pdf
1.21 МБ
IM828XCCXKMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IM828XCCXKMA1: Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: DIP 36x23D; Тип транзистора: MOSFET.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IM828XCCXKMA1: Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: DIP 36x23D; Тип транзистора: MOSFET.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.