- Артикул: 00378433
DFE252012P-R33M=P2 Murata
Краткое описание
Код товара у производителя: DFE252012P-R33M=P2
Производитель: Murata
Спецификация
DFE252012P-R33M=P2
Чип индуктивность 330нГн, 6.6А, 23мОм
Чип индуктивность 330нГн, 6.6А, 23мОм
Производитель
Murata
Код товара производителя
DFE252012P-R33M=P2
Наименование класса номенклатуры
Чип индуктивность
Основные характеристики
L ном.
(индуктивность номинальная)
330 нГн
I макс.
(максимальный постоянный ток)
6.6 А
Количество обмоток
1
Ток насыщения
6.6 А
Тип монтажа
Поверхностный монтаж (SMD)
Допуск
±20%
Диапазон рабочих температур
-40°C до +125°C
Материал
Железный порошок
Тестовая частота
1 МГц
Экранирование
Экранированный
Размеры
Типоразмер
1008
Длина
2.5 мм
Ширина
2 мм
Высота
1.2 мм
Сертификаты
Сертификаты
AECQ200
Соответствие ROHS
Нет
Чип индуктивность DFE252012P-R33M=P2, производителя Murata
Ключевые параметры компонента DFE252012P-R33M=P2: DFE252012P L ном.: 330 нГн; I макс.: 6.6 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Murata в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DFE252012P-R33M=P2: DFE252012P L ном.: 330 нГн; I макс.: 6.6 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Murata в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.