- Артикул: 00343177
- Количество в упаковке: 25
- Кратность продажи: 50
- Мин. количество к продаже: 50
- Стандартная упаковка: Лента
SPM3010T-1R0M-LR TDK
Краткое описание
Код товара у производителя: SPM3010T-1R0M-LR
Производитель: TDK
Спецификация
SPM3010T-1R0M-LR
Чип индуктивность 1мкГн, 3.3А, 60.8мОм
Чип индуктивность 1мкГн, 3.3А, 60.8мОм
Производитель
TDK
Код товара производителя
SPM3010T-1R0M-LR
Наименование класса номенклатуры
Чип индуктивность
Основные характеристики
L ном.
(индуктивность номинальная)
1 мкГн
I макс.
(максимальный постоянный ток)
3.3 А
Количество обмоток
1
Ток насыщения
4.6 А
Тип монтажа
Поверхностный монтаж (SMD)
Допуск
±20%
Диапазон рабочих температур
-40°C до +125°C
Материал
Металлический
Тестовая частота
100 кГц
Экранирование
Экранированный
Размеры
Типоразмер
Нестандартный
Длина
3,2 мм
Ширина
3 мм
Высота
1 мм
Сертификаты
Соответствие ROHS
Нет
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Лента
Количество в упаковке
25
Кратность
(продажи)
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
183.99 КБ
Чип индуктивность SPM3010T-1R0M-LR, производителя TDK
Ключевые параметры компонента SPM3010T-1R0M-LR: SPM-LR L ном.: 1 мкГн; I макс.: 3.3 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя TDK в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SPM3010T-1R0M-LR: SPM-LR L ном.: 1 мкГн; I макс.: 3.3 А.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя TDK в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.