- Артикул: 00300241
- Количество в упаковке: 1
- Кратность продажи: 50
- Мин. количество к продаже: 50
LQW2BASR33G00L Murata
Краткое описание
Код товара у производителя: LQW2BASR33G00L
Производитель: Murata
Спецификация
0805-LQW2BAS 330 nH G
Чип индуктивность 330нГн, 310мА, 1.4Ом
Чип индуктивность 330нГн, 310мА, 1.4Ом
Производитель
Murata
Код товара производителя
LQW2BASR33G00L
Серия
LQW2
Наименование класса номенклатуры
Чип индуктивность
Основные характеристики
Серия
LQW2
Индуктивность
330 нГн
I max DC
(максимальный постоянный ток)
310 мА
Сопротивление
1.4 Ом
Допустимое отклонение
±2%
Диапазон рабочих температур
-40°C до +85°C
Частота саморезонанса
650 МГц
Материал
Немагнитный
Тестовая частота
100 МГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж (SMD)
Экранирование
Неэкранированный
Количество линий
1
Размеры
Высота
1.52 мм
Длина
2.09 мм
Ширина
1.53 мм
Типоразмер
0805
Сертификаты
Сертификаты
AECQ200
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Количество в упаковке
1
Кратность
(продажи)
50
Чип индуктивность LQW2BASR33G00L, производителя Murata
Ключевые параметры компонента LQW2BASR33G00L: LQW2 Индуктивность: 330 нГн; I max DC: 310 мА; Сопротивление: 1.4 Ом.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Murata в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента LQW2BASR33G00L: LQW2 Индуктивность: 330 нГн; I max DC: 310 мА; Сопротивление: 1.4 Ом.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Murata в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.