- Артикул: 00377303
- Количество в упаковке: 2000
- Кратность продажи: 50
- Стандартная упаковка: Катушка
LQW2BHN33NG03L Murata
Краткое описание
Код товара у производителя: LQW2BHN33NG03L
Производитель: Murata
Спецификация
0805-LQW2BHN 33 nH G
Чип индуктивность 33нГн, 570мА, 150мОм
Чип индуктивность 33нГн, 570мА, 150мОм
Производитель
Murata
Код товара производителя
LQW2BHN33NG03L
Серия
LQW2
Наименование класса номенклатуры
Чип индуктивность
Основные характеристики
Серия
LQW2
Индуктивность
33 нГн
I max DC
(максимальный постоянный ток)
570 мА
Сопротивление
150 мОм
Допустимое отклонение
±2%
Диапазон рабочих температур
-40°C до +85°C
Частота саморезонанса
1900 МГц
Материал
Немагнитный
Тестовая частота
100 МГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж (SMD)
Экранирование
Неэкранированный
Количество линий
1
Размеры
Высота
1.78 мм
Длина
2 мм
Ширина
1.5 мм
Типоразмер
0805
Сертификаты
Сертификаты
AECQ200
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2000
Кратность
(продажи)
50
Чип индуктивность LQW2BHN33NG03L, производителя Murata
Ключевые параметры компонента LQW2BHN33NG03L: LQW2 Индуктивность: 33 нГн; I max DC: 570 мА; Сопротивление: 150 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Murata в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента LQW2BHN33NG03L: LQW2 Индуктивность: 33 нГн; I max DC: 570 мА; Сопротивление: 150 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Murata в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
