1700-В SiC MOSFET в дискретном исполнении компании Infineon
Infineon расширяет свою линейку CoolSiC™ MOSFET в дискретном исполнении. К имеющимся в своём портфолио 650-В и 1200-В транзисторам компания добавила 1700-В приборы, изготовленные по trench-технологии. Благодаря выдающимся характеристикам карбида кремния (SiC), новые 1700-В транзисторы в SMD-исполнении обеспечивают высокую надёжность и обладают превосходными динамическими и статическими характеристиками. 1700-В CoolSiC™ MOSFET предназначены для вспомогательных источников питания в трёхфазных системах преобразования, таких как двигатели, возобновляемые источники энергии, зарядные станции и высоковольтные линий электропередачи постоянного тока (HVDC).
В маломощных устройствах до 100 Вт разработчики, как правило, предпочитают использовать однокаскадную обратноходовую (flyback) топологию. Благодаря новым 1700-В CoolSiC™ MOSFET появилась возможность использовать эту топологию во вспомогательных источниках питания с входным напряжением до 1000 В. Высокоэффективные и высоконадёжные вспомогательные источники питания, реализованные по однокаскадной обратноходовой топологии, теперь могут быть применены в трёхфазных системах преобразования. Это приведёт к снижению габаритов преобразователя и сокращению количества компонентов, используемых для его построения.
1700-В CoolSiC™ MOSFET от Infineon обладают самыми низкими ёмкостями и зарядами затвора для транзисторов такого класса. В результате новые приборы позволяют повысить эффективность на 2.5% по сравнению с современными 1500-В кремниевыми MOSFET и на 0.6% по сравнению с 1700-В SiC MOSFET от других производителей. Низкие потери обеспечивают компактную SMD-сборку с естественным охлаждением без необходимости использовать радиатор.
Новые 1700-В CoolSiC™ MOSFET оптимизированы для обратноходовой топологии с напряжением затвор—исток +12 В/0 В и совместимы с обычными ШИМ-контроллерами. Таким образом, они не нуждаются в специализированных драйверах затвора и могут управляться напрямую от контроллера обратноходового преобразователя. Данная линейка включает в себя три транзистора с сопротивлением канала 450, 650 и 1000 мОм в 7-выводном корпусе D2PAK.
Линейка 1700-В CoolSiC™ MOSFET
| RDS(on) (typ) [мОм] при Vgs = 15 В | TO263-7 |
| 450 | IMBF170R450M1 |
| 650 | IMBF170R650M1 |
| 1000 | IMBF170R1K0M1 |
Подробную информацию о SiC MOSFET Infineon см. на сайте производителя.
Для наглядного ознакомления с новыми транзисторами компания Infineon выпустила 62.5-Вт отладочную плату вспомогательного источника питания для трёхфазного преобразователя, где используется 1700-В SiC MOSFET IMBF170R1K0M1. Ссылка на документацию здесь.
Техподдержка: infineon@symmetron.ru