Электронные компоненты Infineon – теперь в корпусах DirectFET

В конце сентября компании Infineon Technologies и International Rectifier объявили о выдаче компании Infineon лицензии на использование передовой запатентованной технологии корпусировки для силовых дискретных приборов DirectFET, о которой мы уже писали ранее. Эта технология уже стала победителем премий R&D 100 Award по версии журнала R&D, Top 10 DC-DC 2003 Award по версии журнала EPC (Electronic Product China) и Product of the Year Award по версии журнала Electronic Products и вызвала живейший интерес в среде разработчиков импульсных преобразователей.
Созданный для работы в мощных AC-DC и DC-DC преобразователях в компьютерах, ноутбуках, телекоммуникационных системах и бытовых приборах, корпус DirectFET стал первым серийно выпускаемым корпусом для поверхностного монтажа размера SO-8 и менее, позволяющим обеспечить действительно эффективный отвод тепла от кристалла мощного MOSFET. В отличие от традиционных пластиковых корпусов, DirectFET обеспечивает двустороннее охлаждение полупроводниковой структуры, позволяющее по меньшей мере удвоить номинальный ток в том же размере. Металлический «панцирь» экранирует излучение, а практически прямой монтаж кристалла на печатную плату предельно снижает паразитные индуктивности и делает возможной работу транзистора в высокочастотных преобразователях.

Infineon предполагает выпускать в корпусе DirectFET транзисторы OptiMOS® 2 и OptiMOS® 3. В компании Infineon ожидают, что первые образцы OptiMOS® 2 в корпусе DirecFET станут доступны в начале 2008 года.