Новые 650-В SiC-диоды Шоттки Vishay повышают эффективность высокочастотных устройств.
Благодаря MPS-конструкции 4…40-амперных приборов снижаются потери на переключение и уменьшается влияние температуры.
Компания Vishay Intertechnology представляет 10 новых 650-вольтовых диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC). Приборы компании разработаны с использованием комбинации диодных структур p-i-n/Шоттки (MPS) с целью увеличения эффективности высокочастотных устройств за счёт снижения потерь на переключение, независимо от изменений температуры, что позволяет им работать при более высоких температурах.
- MPS-конструкция приборов обеспечивает экранирование барьера Шоттки от электрического поля, снижая токи утечки и при этом увеличивая допустимый импульсный ток за счёт инжекции дырок.
- По сравнению с чисто кремниевыми диодами Шоттки данные приборы демонстрируют существенно более высокую надёжность, имея такую же нагрузочную способность по току при весьма небольшом увеличении прямого падения напряжения.
- Разработчикам предоставляется значительно больше возможностей по оптимизации систем.
Преимущества:
- Используется конструкция MPS (Merged PIN/Schottky — комбинация p-i-n-диодов и диодов Шоттки)
- Имеются приборы на токи от 4 до 40 А
- Выпускаются в корпусах с двумя (2L TO-220AC) и тремя (TO-247AD 3L) выводами
- Рабочая температура до +175°C
Применение:
- Высокочастотные корректоры коэффициента мощности в высоковольтных источниках питания и резонансных LLC-преобразователях для серверов, телекоммуникационного оборудования, бесперебойных источников питания (UPS) и преобразователей для солнечных панелей.
Основные технические характеристики:
| Наименование | IF(AV) [А] | VRRM [В] | IFSM при +25°C, 10 мс [А] | VF (тип.) при IF и TJ | TJ (макс.) [°C] | Корпус | ||
| VF [В] | IF [А] | TJ [°C] | ||||||
|
VS-C04ET07T-M3 |
4 | 650 | 26 | 1.75 | 4 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C06ET07T-M3 |
6 | 650 | 39 | 1.7 | 6 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C08ET07T-M3 |
8 | 650 | 57 | 1.7 | 8 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C10ET07T-M3 |
10 | 650 | 68 | 1.75 | 10 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C12ET07T-M3 |
12 | 650 | 80 | 1.65 | 12 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C16ET07T-M3 |
16 | 650 | 120 | 1.65 | 16 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C20ET07T-M3 |
20 | 650 | 160 | 1.6 | 20 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
|
VS-C16CP07L-M3 |
16 | 650 | 53 | 1.7 | 8 | 150 | 175 | TO-247AD 3L |
|
VS-C20CP07L-M3 |
20 | 650 | 64 | 1.75 | 10 | 150 | 175 | TO-247AD 3L |
|
VS-C40CP07L-M3 |
40 | 650 | 160 | 1.55 | 20 | 150 | 175 | TO-247AD 3L |
Можно заказать как отдельные образцы, так и промышленные партии новых SiC-диодов.
Техническая документация доступна на сайте компании Vishay: https://www.vishay.com/diodes/rectifiers/silicon-carbide/
Техническая поддержка: vishay@symmetron.ru