Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Статьи

ПОВЫШЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ SiC MOSFET

Чтобы удовлетворить требования к эффективности SiC MOSFET, при проектировании необходимо уделить особое внимание обеспечению надежности, а также точно выбрать толщину оксидного слоя затвора.Тщательное тестирование должно подтвердить соответствие приложения заданным параметрам.

ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ GaN-ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРИВОДОМ

GaN-кристаллы, используемые в интеллектуальных силовых модулях (Intelligent Power Module, IPM) для управления электроприводами со встроенными линеаризующими конденсаторами, позволяют значительно снизить потери мощности по сравнению с кремниевыми технологиями.

Электронные балласты

Контроллеры ICB1FL02G Infineon для построения электронных балластов люминесцентных ламп.

1200-В дискретные SiC MOSFET в сравнении с высокоскоростными IGBT семейства H3 для сервоприводных систем

В статье рассматриваются преимущества использования ключей CoolSiC MOSFET по сравнению с высокоскоростными IGBT-ключами семейства H3 в сервоприводных системах. В частности, благодаря снижению потерь применение CoolSiC MOSFET открывает новые возможности по усовершенствованию систем

Двухимпульсное тестирование: как, что и почему.

Тестирование коммутационных характеристик силовых полупроводников в безопасной и контролируемой среде является сложной задачей.

  • 22 апреля 2020

Простой способ управления ключами COOlSIC MOSFET

В статье описан легко воспроизводимый способ определения чувствительности карбидокремниевых MOSFET, и  представлены результаты испытаний дискретных COOlSIC MOSFET.

  • 16 апреля 2020

Зарядные устройства мощностью до 150 квт для быстрого заряда электромобилей

Зарядная инфраструктура для электромобилей с батарейным питанием (BEV, или ЭБП), совершающих поездки в т. ч. на дальние расстояния, во многом должна быть схожей с традиционной, которая применяется для автотранспорта с двигателями внутреннего сгорания.

  • 25 декабря 2018

IGBT-модули 7-го поколения

Инфинеон анонсировал новое 7-ое поколение IGBT-модулей для электропривода, оптимизированные для стандартного требования скорости нарастания выходного напряжения инвертора 5кВ/мкс.

  • 24 декабря 2018

Новая серия IGBT-модулей PrimePack 5-го поколения компании Infineon

Рекомендуем модули PrimePack 5-го поколения для мощных транспортных и индустриальных электроприводов высокой надежности и с длительным сроком службы.

Фильтр статей

Производители

9

Темы

Категории статей

Авторы