Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
Фильтры
0 статей
Сортировать:
Производители: Infineon
Технический обзор
Всё, что требуется, - выбрать интегральное решение.
В статье рассматриваются причины все более широкого применения GaN-материалов в силовой электронике и их преимущества, подробно описываются новейшие интегральные решения, которые могут стать привлекательной альтернативой классическим дискретным компонентам.
24 января 2022
Читать 16 мин
Ngee Hou Tan / Thomas Beer
автор статьи
Infineon
Технический обзор
Инструменты с батарейным питанием и бесщеточными двигателями постоянного тока.
В статье рассматриваются основные требования к электроинструментам. Предлагается комплексное решение, базирующееся на компонентах производства компании Infineon Technologies.
22 октября 2021
Читать 12.9 мин
Шиа Лин / Питер Грин
автор статьи
Infineon
Повышение надежности высокоэффективных SiC MOSFET
Чтобы удовлетворить требования к эффективности SiC MOSFET, при проектировании необходимо уделить особое внимание обеспечению надежности, а также точно выбрать толщину оксидного слоя затвора.Тщательное тестирование должно подтвердить соответствие приложения заданным параметрам.
14 сентября 2021
Читать 9 мин
Питер Фридрихс (Peter Friedrichs), Infineon Technologies
автор статьи
Infineon
Технический обзор
Перспективы использования GaN-технологии для управления электроприводом
GaN-кристаллы, используемые в интеллектуальных силовых модулях (Intelligent Power Module, IPM) для управления электроприводами со встроенными линеаризующими конденсаторами, позволяют значительно снизить потери мощности по сравнению с кремниевыми технологиями.
14 сентября 2021
Читать 10 мин
Эрик Персон (Eric Persson), Infineon Technologies
автор статьи
Infineon
Технический обзор
Электронные балласты
Контроллеры ICB1FL02G Infineon для построения электронных балластов люминесцентных ламп.
31 мая 2021
Читать 7 мин
Infineon
Технический обзор
1200-В дискретные SiC MOSFET в сравнении с высокоскоростными IGBT семейства H3 для сервоприводных систем
В статье рассматриваются преимущества использования ключей CoolSiC MOSFET по сравнению с высокоскоростными IGBT-ключами семейства H3 в сервоприводных системах. В частности, благодаря снижению потерь применение CoolSiC MOSFET открывает новые возможности по усовершенствованию систем
14 мая 2021
Читать 10 мин
Blaž KloBučar / Dr. Zhihui Yuan
автор статьи
Силовая электроника Infineon
Двухимпульсное тестирование: как, что и почему.
Тестирование коммутационных характеристик силовых полупроводников в безопасной и контролируемой среде является сложной задачей.
15 марта 2021
Читать 18 мин
DAVID LEVETT / ZIQING ZHENG / TIM FRANK
автор статьи
Промышленное применение Infineon
Простой способ управления ключами COOlSIC MOSFET
В статье описан легко воспроизводимый способ определения чувствительности карбидокремниевых MOSFET, и  представлены результаты испытаний дискретных COOlSIC MOSFET.
22 апреля 2020
Infineon
Зарядные устройства мощностью до 150 квт для быстрого заряда электромобилей
Зарядная инфраструктура для электромобилей с батарейным питанием (BEV, или ЭБП), совершающих поездки в т. ч. на дальние расстояния, во многом должна быть схожей с традиционной, которая применяется для автотранспорта с двигателями внутреннего сгорания.
16 апреля 2020
Infineon
IGBT-модули 7-го поколения
Инфинеон анонсировал новое 7-ое поколение IGBT-модулей для электропривода, оптимизированные для стандартного требования скорости нарастания выходного напряжения инвертора 5кВ/мкс.
25 декабря 2018
Infineon
Новая серия IGBT-модулей PrimePack 5-го поколения компании Infineon
Рекомендуем модули PrimePack 5-го поколения для мощных транспортных и индустриальных электроприводов высокой надежности и с длительным сроком службы.
24 декабря 2018
Infineon
Подпишитесь на нашу рассылку
и получайте новости, спецпредложения, анонсы событий и выставок по почте
Обязательно к заполнению
Необходимо Ваше согласие