Статьи
- 22 октября 2021
- Технический обзор
- Приблизительное время чтения: 12.9 минут
Инструменты с батарейным питанием и бесщеточными двигателями постоянного тока.
В статье рассматриваются основные требования к электроинструментам. Предлагается комплексное решение, базирующееся на компонентах производства компании Infineon Technologies.
- 14 сентября 2021
- Приблизительное время чтения: 9 минут
Повышение надежности высокоэффективных SiC MOSFET
Чтобы удовлетворить требования к эффективности SiC MOSFET, при проектировании необходимо уделить особое внимание обеспечению надежности, а также точно выбрать толщину оксидного слоя затвора.Тщательное тестирование должно подтвердить соответствие приложения заданным параметрам.
- 14 сентября 2021
- Технический обзор
- Приблизительное время чтения: 10 минут
Перспективы использования GaN-технологии для управления электроприводом
GaN-кристаллы, используемые в интеллектуальных силовых модулях (Intelligent Power Module, IPM) для управления электроприводами со встроенными линеаризующими конденсаторами, позволяют значительно снизить потери мощности по сравнению с кремниевыми технологиями.
- 31 мая 2021
- Технический обзор
- Приблизительное время чтения: 7 минут
Электронные балласты
Контроллеры ICB1FL02G Infineon для построения электронных балластов люминесцентных ламп.
- 14 мая 2021
- Технический обзор
- Приблизительное время чтения: 10 минут
1200-В дискретные SiC MOSFET в сравнении с высокоскоростными IGBT семейства H3 для сервоприводных систем
В статье рассматриваются преимущества использования ключей CoolSiC MOSFET по сравнению с высокоскоростными IGBT-ключами семейства H3 в сервоприводных системах. В частности, благодаря снижению потерь применение CoolSiC MOSFET открывает новые возможности по усовершенствованию систем
- 15 марта 2021
- Приблизительное время чтения: 18 минут
Двухимпульсное тестирование: как, что и почему.
Тестирование коммутационных характеристик силовых полупроводников в безопасной и контролируемой среде является сложной задачей.
- 22 апреля 2020
Простой способ управления ключами COOlSIC MOSFET
В статье описан легко воспроизводимый способ определения чувствительности карбидокремниевых MOSFET, и представлены результаты испытаний дискретных COOlSIC MOSFET.
- 16 апреля 2020
Зарядные устройства мощностью до 150 квт для быстрого заряда электромобилей
Зарядная инфраструктура для электромобилей с батарейным питанием (BEV, или ЭБП), совершающих поездки в т. ч. на дальние расстояния, во многом должна быть схожей с традиционной, которая применяется для автотранспорта с двигателями внутреннего сгорания.
- 25 декабря 2018
IGBT-модули 7-го поколения
Инфинеон анонсировал новое 7-ое поколение IGBT-модулей для электропривода, оптимизированные для стандартного требования скорости нарастания выходного напряжения инвертора 5кВ/мкс.
Фильтр статей