- Артикул: 00315564
- Количество в упаковке: 472
- Стандартная упаковка: Паллета
IGC193T120T8RMX1SA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
1200V TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology
Low switching losses
Soft turn-off
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 200А, IGBT4 Medium Power
Low switching losses
Soft turn-off
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 200А, IGBT4 Medium Power
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGC193T120T8RMX1SA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000988792
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
200 А
Технология
IGBT4 Medium Power
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
472
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
378.46 КБ
IGBT кристалл IGC193T120T8RMX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC193T120T8RMX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 200 А; Технология: IGBT4 Medium Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGC193T120T8RMX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 200 А; Технология: IGBT4 Medium Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.