- Артикул: 00312755
- Количество в упаковке: 503
- Стандартная упаковка: Коробка
SIGC186T170R3EX1SA4 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low turn-off losses
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1700 В, 150А, IGBT3
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1700 В, 150А, IGBT3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC186T170R3EX1SA4
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000522392
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
I c
(постоянный ток коллектора)
150 А
Технология
IGBT3
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
503
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
121.92 КБ
IGBT кристалл SIGC186T170R3EX1SA4, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC186T170R3EX1SA4: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC186T170R3EX1SA4: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.