- Артикул: 00205504
- Количество в упаковке: 795
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
SIGC121T120R2CX1SA5 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1200 В, 75А, IGBT2
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1200 В, 75А, IGBT2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC121T120R2CX1SA5
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000012015
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
75 А
Технология
IGBT2
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
795
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
64.63 КБ
IGBT кристалл SIGC121T120R2CX1SA5, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC121T120R2CX1SA5: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC121T120R2CX1SA5: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.