Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

SIGC81T120R2CX1SA2 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: SIGC81T120R2CX1SA2 Производитель: Infineon OPN: SP000012063
SIGC81T120R2CX1SA2 Infineon
  • Артикул: 00205515
  • Количество в упаковке: 326
  • Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина

Спецификация

Positive temperature coefficient
Easy paralleling
High robustness

IGBT кристалл 1200 В, 50А, IGBT2
Производитель Infineon
Код товара производителя SIGC81T120R2CX1SA2
Наименование класса номенклатуры IGBT кристалл
OPN SP000012063
Основные характеристики
Vce (максимальное напряжение коллектор-эмиттер) 1200 В
I c (постоянный ток коллектора) 50 А
Технология IGBT2
Сертификаты
Соответствие ROHS да
Упаковка
Упаковка (стандартная) Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке 326

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
326 Штук в Полупроводниковая пластина

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT кристалл SIGC81T120R2CX1SA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC81T120R2CX1SA2: Vce: 1200 В; I c: 50 А; Технология: IGBT2.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.