- Артикул: 00205509
- Количество в упаковке: 738
- Стандартная упаковка: Мультиплата
SIGC185T170R2CX1SA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1700 В, 100А, IGBT2 Low Loss
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1700 В, 100А, IGBT2 Low Loss
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC185T170R2CX1SA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000012039
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
I c
(постоянный ток коллектора)
100 А
Технология
IGBT2 Low Loss
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Мультиплата
Количество в упаковке
738
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
66.63 КБ
IGBT кристалл SIGC185T170R2CX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC185T170R2CX1SA1: Vce: 1700 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2 Low Loss.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC185T170R2CX1SA1: Vce: 1700 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2 Low Loss.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.