00205509
SIGC185T170R2CX1SA1 Infineon
Производитель
Спецификация:
IGBT кристалл SIGC185T170R2CX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC185T170R2CX1SA1: Vce: 1700 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2 Low Loss.
Ключевые параметры компонента SIGC185T170R2CX1SA1: Vce: 1700 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2 Low Loss.
Читать подробнее
от 1 шт
1 480.38 руб./шт
от 1 480.38 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1480.38/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 480.38 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Производитель
Спецификация:
IGBT кристалл SIGC185T170R2CX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC185T170R2CX1SA1: Vce: 1700 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2 Low Loss.
Ключевые параметры компонента SIGC185T170R2CX1SA1: Vce: 1700 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2 Low Loss.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
