- Артикул: 00305889
- Количество в упаковке: 1
AUIRGP65G20D0 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 33А, 70~200кГц, 1.8В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
AUIRGP65G20D0
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001511202
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
33 А
f раб.
(рабочая частота)
70~200кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.8 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
html
45.28 КБ
IGBT транзистор AUIRGP65G20D0, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента AUIRGP65G20D0: V ce: 1200 В; I c: 33 А; f раб.: 70~200кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента AUIRGP65G20D0: V ce: 1200 В; I c: 33 А; f раб.: 70~200кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.