- Артикул: 00303502
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRG4PH50KPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 24А, 4~20 кГц, 3.5В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4PH50KPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001541998
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
24 А
f раб.
(рабочая частота)
4~20 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
3.5 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
IGBT транзистор IRG4PH50KPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4PH50KPBF: V ce: 1200 В; I c: 24 А; f раб.: 4~20 кГц; V CE(on): 3.5 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4PH50KPBF: V ce: 1200 В; I c: 24 А; f раб.: 4~20 кГц; V CE(on): 3.5 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.