- Артикул: 00459862
- Количество в упаковке: 20
- Стандартная упаковка: Россыпь
DGQ100N65CTS1D SuncoYJ
Краткое описание
Код товара у производителя: DGQ100N65CTS1D
Производитель: SuncoYJ
Спецификация
IGBT транзистор DGQ100N65CTS1D YJ
Производитель
SuncoYJ
Код товара производителя
DGQ100N65CTS1D
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
100 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.35 В
Размеры
Корпус
TO-247Plus
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
20
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet DGQ100N65CTS1D SuncoYJ
Английский язык
pdf
959.18 КБ
IGBT транзистор DGQ100N65CTS1D, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGQ100N65CTS1D: V ce: 650 В; I c: 100 А; V CE(sat): 1.35 В; Корпус: TO-247Plus.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DGQ100N65CTS1D: V ce: 650 В; I c: 100 А; V CE(sat): 1.35 В; Корпус: TO-247Plus.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.