- Артикул: 00459861
- Количество в упаковке: 20
- Стандартная упаковка: Россыпь
DGQ120N65CTH1G SuncoYJ
Краткое описание
Код товара у производителя: DGQ120N65CTH1G
Производитель: SuncoYJ
Спецификация
IGBT транзистор DGQ120N65CTH1G YJ
Производитель
SuncoYJ
Код товара производителя
DGQ120N65CTH1G
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
120 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.65 В
Размеры
Корпус
TO-247Plus
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
20
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet DGQ120N65CTH1G SuncoYJ
Английский язык
pdf
1.15 МБ
IGBT транзистор DGQ120N65CTH1G, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGQ120N65CTH1G: V ce: 650 В; I c: 120 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247Plus.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DGQ120N65CTH1G: V ce: 650 В; I c: 120 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247Plus.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.