Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
DGQ120N65CTH1G SuncoYJ
Артикул
Производитель
Спецификация:
IGBT транзистор DGQ120N65CTH1G, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGQ120N65CTH1G: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 120 А; Корпус: TO-247Plus.
кратность 1
от 1 шт
964.41 руб./шт
от 964.41 руб. /шт
В наличии
20 шт
Производитель
Серия
Спецификация:
IGBT транзистор DGQ120N65CTH1G, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGQ120N65CTH1G: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 120 А; Корпус: TO-247Plus.
Основные характеристики
Типоразмер
TO-247
I c
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.65 В
Максимальное напряжение коллектор-эммитер
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-40°C до +175°C
Тип монтажа
Through Hole
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.