- Артикул: 00438516
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Россыпь
DGW10N120CTL SuncoYJ
Краткое описание
Код товара у производителя: DGW10N120CTL
Производитель: SuncoYJ
Спецификация
IGBT транзистор DGW10N120CTL YJ
Производитель
SuncoYJ
Код товара производителя
DGW10N120CTL
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
10 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.85 В
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
1
IGBT транзистор DGW10N120CTL, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW10N120CTL: V ce: 1200 В; I c: 10 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DGW10N120CTL: V ce: 1200 В; I c: 10 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.